半导体激光器(传导制冷)

传导冷却半导体激光器广泛应用于固体泵浦激光器。针对传导制冷模块对于轻量化,小型化的发展趋势,东方强光为此设计ARC系列弧形激光阵列,VS、MZ系列面阵激光阵列,CIR系列环形激光阵列等多种结构以满足需求。这些系列激光器具有结构紧凑、搭配灵活、可靠性高的特点。单bar峰值功率从100W、200W、300W、500W可选。单器件激光峰值功率可达8KW,单波及多种波长组合可选。Bar条金锡封装,可靠性高。可根据需求选择快慢周准直和光束整形。
产品优势:
◆ 高效:弧形、环形结构设计,配合低至0.43的bar条间距,配合泵浦模块设计时,大幅提高功率密度和泵浦效率。
◆ 轻量化设计:灵活单元,有效节省空间,利于轻量化设计。
◆ 高可靠性:金锡封装,适合严苛高低温工作环境。
◆ 全温设计:可根据设计需求组合波长。
产品型号 | ARC/CIR/MZ/CS-C/W-N*100~500-N-100~500 |
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单bar峰值功率 | QCW:100/200/300/500 CW:40 |
单器件峰值功率(W) | 500~30000 |
典型波长(nm) | 808/9xx² |
Bar条数量N | 1~150 ¹ |
Bar条间距(mm) | 0.43~3 |
中心波长偏差(nm) | ±3/±10 |
光谱宽度(nm)(FWHM) | <3 |
光束发散角(degree)(FWHM) | <39⊥<10‖ |
偏振模式 | TE |
波长漂移系数(nm/℃) | ~0.28 |
工作模式 | CW/QCW |
最大占空比(%) | ≦2% |
脉冲宽度(us) | 50~250 |
重复频率(Hz) | 1~400 |
工作电流(A) | ≦100~500 |
工作电压(V) | ≦2*N |
斜率效率(W/A) | >1.1 |
电光转化效率(%) | >50 |
热学参数 | |
工作温度范围(℃) | -40~60 |
存储温度范围(℃) | -50~85 |
存储湿度范围(%) | <70 |
命名规则:
模块型号 | ARC-C-3000-30-100-XBH03 |
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ARC- | 半导体激光器的系列代码。 ARC代表弧形封装,CIR代表环形,MZ代表面阵 |
C- | 冷却方式。 C代表传导制冷,W代表水冷。 |
3000- | 总峰值功率 |
30- | Bar条数量 |
100- | 单bar峰值功率 |
XBH03 | 结构代码 |
产品列表:
图片 | 模块型号 | 工作模式 | 峰值功率(W) | Bar条数量 | 工作电流(A) | 产品英文名 |
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CS40, CS100, CS200 | QCW | 700 | 7 | 100 | CS diode laser |
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MZ-C-500/1000-5-100E/200E-G-stack | QCW | 700 | 7 | 100 | 500W Conduction cooled diode laser stack |
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CIR-C-700-7-100E-01 | QCW | 700 | 7 | 100 | 700W Conduction cooled diode laser stack |
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ARC-C-1000-5-200E-ZBH01 | QCW | 1000 | 5 | 200 | 1000W Conduction cooled diode laser stack |
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MZ-C-1000-10-100E-QUP0.41 | QCW | 1000 | 10 | 200 | 1000W Conduction cooled diode laser stack |
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ARC-C-1200-6-200 | QCW | 1200 | 6 | 200 | 1200W Conduction cooled diode laser stack |
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ARC-C-1600-8-200 / MZ-C-1600-8-200 | QCW | 1600 | 8 | 200 | 1600W Conduction cooled diode laser stack |
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MZ-C-1600-8-200E-G-stack | QCW | 1600 | 8 | 200 | 1600W Conduction cooled diode laser stack |
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MZ-C-2400-12-200E-Optical shape module | QCW | 2400 | 12 | 200 | 2400W Conduction cooled Optical shape module |
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MZ-C-2400-12-200E-G-stack | QCW | 2400 | 12 | 200 | 2400W Conduction cooled diode laser stack |
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ARC-C-3000-30-100E | QCW | 3000 | 30 | 100 | 3000W Conduction cooled diode laser stack |
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MZ-C-3200-32-100E-MZ03 | QCW | 3200 | 32 | 200 | 3200W Conduction cooled diode laser stack |
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MZ-C-4000-40-100E-MZ02 | QCW | 4000 | 40 | 100 | 4000W Conduction cooled diode laser stack |
注:
- 每种结构所能承载的bar条数量依据结构不同而有所不同。
- 波长参数为工作温度25℃下的值;所有传导制冷器件可以使用多种波长组合,以达成全温区使用的要求;波长精度默认为+-2nm,如有更精准的需求,可咨询销售工程师。
应用范围:
◆ 半导体侧面泵浦激光模块
◆ 科研
◆ 材料加工
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产品优势
我们的核心产品是二极管激光器和二极管侧面泵浦增益模块。多年来,我们一直致力于 从模块结构设计、散热等多个角度持续优化增益模块制造技术 耗散工艺、封装工艺、阵列布置等,为众多客户提供稳定、可靠、性能优良的侧泵模块。增益模块分为连续波模块和脉冲连续连续波模块。其中,QCW 模块还包括传导冷却模块和水冷模块。
GN 系列连续工作模块功率 35W-450W 可选;
GQ 和 JQ 系列脉冲模块的最大储能可达 8J;
晶体直径 2mm-25mm 可选,常规晶体材料为 ND:YAG; 其他晶体直径或材料也可以定制。

更多产品

水冷高功率半导体激光阵列分为垂直阵列、水平阵列和圆形阵列。功率范围从 20W 到 2000W,bar条分布和散热器结构可根据用户要求定制。水冷半导体阵列应用专为半导体激光泵浦、DPSS 激光模块、q 开关激光器和 532nm 绿光激光器模块而设计。
水冷半导体激光器,我司可提供多种热沉形状以适应不同用途,包括CIR系列的环形器件、HS-MI系列的水平微通道器件,HS-MA系列水平宏通道器件,VS系列垂直微通道结构或宏通道器件。

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GN 系列高功率半导体侧面泵浦增益模块广泛应用于 q 开关激光器、532nm 绿光激光器、金刚石切割激光头。这些高功率激光模块的性能如下:
◆ 最大功率在 30nm 处为 450W 至 1064W。
◆增益介质 有 YAG 和 YLF。杆径 2mm-10mm 可选
◆ 泵浦光中心波长为 808nm 或其他多个波长可组合